31. Обратная фотолитография

Обратная фотолитография обычно применяется в двух случаях:

• материал подложки не травится вообще или травится в составах, которые не выдерживает резист (например, керамическая подложка, травление золота в царской водке);

• подложка представляет многослойную тонкопленочную структуру, а процесс травления неселективен, т.е. при травлении верхнего слоя процесс не прекращается на поверхности нижележащего слоя.

Метод обратной фотолитографии.

На подложку последовательно наносится резистивная и проводящая плёнка. Первая фотолитография формирует общий контур элемента (резистора). Для этого подбирают травитель, чтобы он растворял и резистивную и проводящую плёнки. Вторая фотолитография формирует только проводящий рисунок (контактные площадки). Для этого используют селективный травитель, который удаляет проводящую плёнку, но не затрагивает резистивную. Метод двойной фотолитографии ещё называют методом селективного травления. Разновидностью селективного травления является метод обратной фотолитографии.

Метод селективного травления(двойной фотолитографии).

В качестве маски можно использовать обычный фоторезист, но при напылении плёнок при температуре свыше 200 градусов происходит испарение фотослоя, поэтому часто в качестве маски используется слой металла (подслой). Для удаления подслоя используют селективные травители. Селективные травители не затрагивают резистивную плёнку, но, проникая через микротрещины, травитель удаляет подслой, таким образом формируется контур резистора (рисунок 5), на который напыляются контактные площадки.